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首页 全部分类 IRFH7932TRPBF vs IRFH5301TRPBF

IRFH7932TRPBF备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 长度
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFH7932TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 104A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.4W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4270pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    48ns
    ±20V
    20 ns
    24A
    1.8V
    20V
    25A
    0.0033Ohm
    30V
    30V
    1.8 V
    939.8μm
    6.096mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5301TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    35A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    23 ns
    100A
    1.8V
    20V
    -
    -
    30V
    -
    1.8 V
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PQFN (5x6) Single Die
    1.85MOhm
    150°C
    -55°C
    30V
    5.114nF
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
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