IRFH7934TR2PBF备选型号: BSC050N03LSGATMA1

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  • 电阻
  • 最高工作温度
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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 操作温度
  • 无卤素
  • Vgs(最大值)
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    24A Ta 76A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    2 (1 Year)
    3.5MOhm
    150°C
    -55°C
    3.1W
    Single
    3.1W
    12 ns
    N-Channel
    3.5mOhm @ 24A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3100pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    30V
    7.5 ns
    24A
    1.8V
    20V
    30V
    3.1nF
    30 ns
    3.5mOhm
    3.5 mΩ
    1.8 V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-5
    18A Ta 80A Tc
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    50W
    -
    N-Channel
    5mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    30V
    -
    80A
    2.2V
    20V
    -
    2.8nF
    -
    4.2mOhm
    5 mΩ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    39 Weeks
    Tin
    -55°C~150°C TJ
    无卤素
    ±20V
    30V
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