IRFH7934TR2PBF备选型号: BSC050N03LSGATMA1
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 操作温度
- 无卤素
- Vgs(最大值)
- 最大双电源电压
- MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-PQFN (5x6)24A Ta 76A TcCut Tape (CT)HEXFET®2009Obsolete2 (1 Year)3.5MOhm150°C-55°C3.1WSingle3.1W12 nsN-Channel3.5mOhm @ 24A, 10V2.35V @ 50μA3100pF @ 15V30nC @ 4.5V16ns30V7.5 ns24A1.8V20V30V3.1nF30 ns3.5mOhm3.5 mΩ1.8 V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------
- Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8PG-TDSON-8-518A Ta 80A TcTape & Reel (TR)OptiMOS™2000活跃1 (Unlimited)-150°C-55°C--50W-N-Channel5mOhm @ 30A, 10V2.2V @ 250μA2800pF @ 15V35nC @ 10V4ns30V-80A2.2V20V-2.8nF-4.2mOhm5 mΩ----无SVHC-ROHS3 Compliant含铅39 WeeksTin-55°C~150°C TJ无卤素±20V30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | BSC050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8 | 对比 |
![]() | IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |





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