IRFH7934TR2PBF备选型号: FDB7030BL
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-PQFN (5x6)24A Ta 76A TcCut Tape (CT)HEXFET®2009Obsolete2 (1 Year)3.5MOhm150°C-55°C3.1WSingle3.1W12 nsN-Channel3.5mOhm @ 24A, 10V2.35V @ 50μA3100pF @ 15V30nC @ 4.5V16ns30V7.5 ns24A1.8V20V30V3.1nF30 ns3.5mOhm3.5 mΩ1.8 V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-60A TaTape & Reel (TR)PowerTrench®2003Obsolete1 (Unlimited)9MOhm---Single60W12 nsN-Channel9m Ω @ 30A, 10V3V @ 250μA1760pF @ 15V24nC @ 5V12ns-19 ns60A1.9V20V30V-----4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)Tin1.31247gSILICON-65°C~175°C TJe3yes2EAR99逻辑电平兼容30V鸥翼未说明not_compliant60A未说明R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
![]() | BSC050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8 | 对比 |






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