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首页 全部分类 IRFH8316TRPBF vs IRFHM8363TRPBF

IRFH8316TRPBF备选型号: IRFHM8363TRPBF

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  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH8316TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    27A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.6W
    19 ns
    N-Channel
    2.95m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 50μA
    3610pF @ 10V
    59nC @ 10V
    67ns
    ±20V
    24 ns
    27A
    20V
    50A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8363TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    Dual
    2.7W
    14 ns
    2 N-Channel (Dual)
    14.9m Ω @ 10A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1165pF @ 10V
    15nC @ 10V
    94ns
    -
    33 ns
    11A
    20V
    -
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    8
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.7W
    IRFHM8363PBF
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    1.8V
    0.0149Ohm
    116A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    无SVHC
    无
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