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首页 全部分类 IRFHM4231TRPBF vs FDMS7578

IRFHM4231TRPBF备选型号: FDMS7578

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFHM4231TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    IRFHM4231
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1270pF @ 13V
    20nC @ 10V
    28ns
    25V
    ±20V
    5.9 ns
    22A
    1.6V
    20V
    0.0046Ohm
    25V
    42 mJ
    900μm
    3.3mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7578
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 17A POWER56
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 17A, 10V
    3V @ 250μA
    1625pF @ 13V
    25nC @ 10V
    2.6ns
    -
    ±20V
    2.2 ns
    28A
    1.6V
    20V
    -
    -
    40 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    74mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    FLAT
    33W
    63A
    25V
    60A
    1.6 V
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