IRFHM8326TRPBF备选型号: FDS8896
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 30V 25A PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON19A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)HEXFET®2013活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLATS-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.8WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 50μA2496pF @ 10V39nC @ 10V35ns±20V12 ns19A1.7V20V70A0.0067Ohm30V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON15A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001活跃1 (Unlimited)8EAR99DUAL鸥翼--增强型MOSFET2.5W-8 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 15A, 10V2.5V @ 250μA2525pF @ 15V67nC @ 10V37ns±20V24 ns15A1.2V20V--30V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin130mge4yes6MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)30V15ASingle1.5mm5mm4mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | IRF8736PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | 对比 |
![]() | IRFH4234TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 22A PQFN | 对比 |




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