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首页 全部分类 IRFHM8326TRPBF vs IRFH4234TRPBF

IRFHM8326TRPBF备选型号: IRFH4234TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFHM8326TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 50μA
    2496pF @ 10V
    39nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    12 ns
    19A
    1.7V
    20V
    70A
    0.0067Ohm
    30V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4234TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    22A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    3.5W
    -
    7.8 ns
    N-Channel
    -
    4.6m Ω @ 30A
    2.1V @ 25μA
    1011pF @ 13V
    17nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    5.3 ns
    22A
    1.6V
    20V
    60A
    -
    -
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    Single
    25V
    900μm
    6mm
    5mm
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