IRFHM9331TR2PBF备选型号: IRFH3702TRPBF
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- 底架
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8PQFN (3x3)11A Ta 24A TcCut Tape (CT)HEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C2.8WSingle2.8W11 nsP-Channel10mOhm @ 11A, 20V2.4V @ 25μA1543pF @ 25V48nC @ 10V27ns30V60 ns-11A-1.8V25V-30V1.543nF96 ns14.6mOhm10 mΩ-1.8 V939.8μm2.9972mm2.9972mm无SVHC无符合RoHS标准-----------------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-16A Ta 42A TcTape & Reel (TR)HEXFET®2009活跃1 (Unlimited)----2.8W9.6 nsN-Channel7.1m Ω @ 16A, 10V2.35V @ 25μA1510pF @ 15V14nC @ 4.5V15ns-5.8 ns16A1.8V20V30V----1.8 V939.8μm2.9972mm2.9972mm无SVHC无ROHS3 Compliant12 WeeksSILICON-55°C~150°C TJ3SMD/SMTEAR99DUALS-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V0.0071Ohm120A30V77 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |




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