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IRFP044NPBF备选型号: IRFP3710PBF
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 螺纹距离
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 最大结点温度（Tj）
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 53A 3-Pin(3 Tab) TO-247AC10 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON53A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®1997e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55V25053A305.45mm1Single增强型MOSFET100WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 29A, 10V4V @ 250μA1500pF @ 25V61nC @ 10V80ns±20V52 ns53A4VTO-247AC20V49A0.02Ohm55V55V110 ns4 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs /-20V12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON57A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®1998-活跃1 (Unlimited)3EAR99-雪崩 额定100V-57A--1Single增强型MOSFET180WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V190nC @ 10V59ns±20V48 ns57A2VTO-247AC20V-0.025Ohm100V100V320 ns4 V24.99mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free通孔175°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 57A; TO-247AC; Pd 200W; Vgs /-20V | 对比 |
| IRFP048NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC | 对比 |
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