IRFR825PBF备选型号: IRFR825TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 500V 6A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6336A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2012e3Discontinued1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSingle增强型MOSFET119W8.5 nsN-Channel1.3 Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA1346pF @ 25V34nC @ 10V25ns±20V20 ns6A3V20V6A500V138 ns2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 500V 6A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6336A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012e3活跃1 (Unlimited)-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-增强型MOSFET119W8.5 nsN-Channel1.3 Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA1346pF @ 25V34nC @ 10V25ns±20V20 ns6A-20V6A500V-----无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON21.3OhmSINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAINSWITCHINGTO-252AA24A
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPD04N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
![]() | STD7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 |





哦! 它是空的。