IRFR825PBF备选型号: IRFR825TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    Single
    增强型MOSFET
    119W
    8.5 ns
    N-Channel
    1.3 Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    1346pF @ 25V
    34nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    20 ns
    6A
    3V
    20V
    6A
    500V
    138 ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    增强型MOSFET
    119W
    8.5 ns
    N-Channel
    1.3 Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    1346pF @ 25V
    34nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    20 ns
    6A
    -
    20V
    6A
    500V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    2
    1.3Ohm
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    24A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SPD04N50C3ATMA1 SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V 对比
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3 CONSUMER 对比