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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.288335
10
¥6.875788
100
¥6.486592
500
¥6.119426
1000
¥5.773044
Infineon Technologies SPD04N50C3ATMA1
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- 对比
SPD04N50C3ATMA1
1211-SPD04N50C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD04N50C3ATMA1详情
Infineon Technologies SPD04N50C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
50W Tc
Turn Off Delay Time
70 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
560V
额定电流
4.5A
功率耗散
50W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
470pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
500V
输入电容
470pF
漏源电阻
850mOhm
最大rds
950 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SPD04N50C3ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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