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首页 全部分类 IRFR825PBF vs SPD04N50C3ATMA1

IRFR825PBF备选型号: SPD04N50C3ATMA1

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  • 供应商器件包装
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  • 额定电流
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFR825PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    Single
    增强型MOSFET
    119W
    8.5 ns
    N-Channel
    1.3 Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    1346pF @ 25V
    34nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    20 ns
    6A
    3V
    20V
    6A
    500V
    138 ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD04N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    50W
    10 ns
    N-Channel
    950mOhm @ 2.8A, 10V
    3.9V @ 200μA
    470pF @ 25V
    22nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    -
    4.5A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    PG-TO252-3-1
    150°C
    -55°C
    560V
    4.5A
    500V
    500V
    470pF
    850mOhm
    950 mΩ
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