IRFR8314TRPBF备选型号: IRLR8103VPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63D-PAK (TO-252AA)3.949996g90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013活跃1 (Unlimited)2.2mOhm175°C-55°C1Single19 nsN-Channel2.2mOhm @ 90A, 10V2.2V @ 100μA4945pF @ 15V54nC @ 4.5V98ns30V±20V30 ns90A20V4.945nF2.2mOhm2.2 mΩROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 30V 91A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--91A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)9mOhm---Single10 nsN-Channel9m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA2672pF @ 16V27nC @ 5V9ns-±20V18 ns91A20V---ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTin3EAR9930V89A89W3V30V30V3 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR8103VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | 对比 |
![]() | IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 | 对比 |
![]() | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |





哦! 它是空的。