Infineon Technologies IRFR8314TRPBF
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IRFR8314TRPBF
1211-IRFR8314TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
--最小包装量--
IRFR8314TRPBF详情
Infineon Technologies IRFR8314TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
D-PAK (TO-252AA)
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
2.2mOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4945pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 4.5V
上升时间
98ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
4.945nF
漏源电阻
2.2mOhm
最大rds
2.2 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFR8314TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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