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IRFS4115-7PPBF备选型号: IRFS4321TRL7PP
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-713 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7SILICON105A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Discontinued1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9911.8MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G6Single增强型MOSFET380WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING11.8m Ω @ 63A, 10V5V @ 250μA5320pF @ 50V110nC @ 10V50ns±20V23 ns105A5V20V150V420A150V230 mJ5 V4.572mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON86A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013-活跃1 (Unlimited)6-EAR99--鸥翼--R-PSSO-G6Single增强型MOSFET-DRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING14.7m Ω @ 34A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 50V110nC @ 10V60ns±30V35 ns86A5V30V-343A------无SVHC无ROHS3 Compliant无铅1.59999g1150V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS4115-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 150V 105A AUTO | 对比 |
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 | 对比 |
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK | 对比 |
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