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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥46.832738
10
¥44.181828
100
¥41.680971
500
¥39.32167
1000
¥37.095915
Infineon Technologies IRFS4321TRL7PP
- 收藏
- 对比
IRFS4321TRL7PP
1211-IRFS4321TRL7PP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
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MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFS4321TRL7PP详情
Infineon Technologies IRFS4321TRL7PP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
质量
1.59999g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
86A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.7m Ω @ 34A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4460pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
60ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
86A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
343A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS4321TRL7PP拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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