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IRFS4115TRL7PP备选型号: IRFS4321TRL7PP
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7SILICON105A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)6EAR998541.29.00.95SINGLE鸥翼R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET380WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING11.8m Ω @ 63A, 10V5V @ 250μA5320pF @ 50V110nC @ 10V50ns±20V23 ns105A20V0.0118Ohm150V420A230 mJ无ROHS3 Compliant-------- MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON86A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013活跃1 (Unlimited)6EAR99--鸥翼R-PSSO-G6-增强型MOSFET-DRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING14.7m Ω @ 34A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 50V110nC @ 10V60ns±30V35 ns86A30V--343A-无ROHS3 Compliant1.59999g1Single150V5V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS4115-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 150V 105A AUTO | 对比 |
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK | 对比 |
 | STH315N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
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