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IRFS4610TRRPBF备选型号: FDB120N10

IRFS4610TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
D2PAK
73A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2010
Obsolete
1 (Unlimited)
175°C
-55°C
Single
190W
18 ns
N-Channel
14mOhm @ 44A, 10V
4V @ 100μA
3550pF @ 50V
140nC @ 10V
87ns
100V
±20V
70 ns
73A
20V
100V
3.55nF
14mOhm
14 mΩ
4.826mm
10.668mm
9.65mm
无
符合RoHS标准
-
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-
-
-
FDB120N10

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
74A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2009
活跃
1 (Unlimited)
-
-
Single
170W
27 ns
N-Channel
12m Ω @ 74A, 10V
4.5V @ 250μA
5605pF @ 25V
86nC @ 10V
105ns
-
±20V
15 ns
74A
20V
100V
-
-
-
4.83mm
10.67mm
9.65mm
-
ROHS3 Compliant
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
8 Weeks
1.31247g
SILICON
e3
yes
2
EAR99
Tin (Sn)
鸥翼
未说明
not_compliant
未说明
R-PSSO-G2
不合格
增强型MOSFET
DRAIN
SWITCHING
296A
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