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IRFS4610TRRPBF备选型号: IRFS4610PBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK73A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle190W18 nsN-Channel14mOhm @ 44A, 10V4V @ 100μA3550pF @ 50V140nC @ 10V87ns100V±20V70 ns73A20V100V3.55nF14mOhm14 mΩ4.826mm10.668mm9.65mm无符合RoHS标准----------------- MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-73A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)--Single190W18 nsN-Channel14m Ω @ 44A, 10V4V @ 100μA3550pF @ 50V140nC @ 10V87ns-±20V70 ns73A20V100V---4.826mm10.668mm9.65mm无符合RoHS标准SILICON214mOhm100V鸥翼73AR-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING290A100V53 ns4 V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | INFINEON IRFS4410TRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNew | 对比 |
 | FDB120N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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