Infineon Technologies IRFS4610TRRPBF
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IRFS4610TRRPBF
1211-IRFS4610TRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
--最小包装量--
IRFS4610TRRPBF详情
Infineon Technologies IRFS4610TRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
73A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
190W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
190W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14mOhm @ 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3550pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 10V
上升时间
87ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
70 ns
连续放电电流(ID)
73A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
3.55nF
漏源电阻
14mOhm
最大rds
14 mΩ
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFS4610TRRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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