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IRFS7534PBF备选型号: AUIRLS3036TRL
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK3.949996g195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013Discontinued1 (Unlimited)175°C-55°C1294W20 nsN-Channel2.4mOhm @ 100A, 10V3.7V @ 250μA10034pF @ 25V279nC @ 10V134ns60V±20V93 ns195A3.7V60V10.034nF2.4mOhm2.4 mΩROHS3 Compliant无铅----------------------- MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)---380W66 nsN-Channel2.4m Ω @ 165A, 10V2.5V @ 250μA11210pF @ 50V140nC @ 4.5V220ns-±16V110 ns195A16V60V---ROHS3 Compliant-TinSILICONe32EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING1V0.0024Ohm290 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7530PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
| AUIRLS3036TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK | 对比 |
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