Infineon Technologies IRFS7530PBF

工厂交货时间

14 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

375W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Turn Off Delay Time

172 ns

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

375W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

52 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13703pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

411nC @ 10V

上升时间

141ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

104 ns

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

3.7V

栅极至源极电压(Vgs)

3.7V

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

760A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅