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IRFS7540PBF备选型号: AUIRFS3306TRL
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 附加功能
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N CH 60V 110A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装33.949996gSILICON58 ns2007HEXFET®, StrongIRFET™Tube-55°C~175°C TJDiscontinued1 (Unlimited)2EAR99鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET160WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns±20V56 ns110A20V60VROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET N-CH 60V 160A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-SILICON120A Tc2011HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼26030R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET230WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V125nC @ 10V76ns±20V77 ns120A20V60VROHS3 Compliant-16 WeeksTine3AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE0.0042Ohm620A4.83mm10.67mm9.65mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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