IRFS7540PBF备选型号: IPB90N06S404ATMA2
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N CH 60V 110A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装33.949996gSILICON58 ns2007HEXFET®, StrongIRFET™Tube-55°C~175°C TJDiscontinued1 (Unlimited)2EAR99鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET160WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns±20V56 ns110A20V60VROHS3 Compliant无铅--------
- Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/RTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装31.946308gSILICON90A Tc2009Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2-鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET150WDRAIN30 nsN-Channel-4m Ω @ 90A, 10V4V @ 90μA10400pF @ 25V128nC @ 10V70ns±20V5 ns90A20V60VROHS3 Compliant-16 Weeksyesnot_compliant无卤素60V4.4mm10mm9.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |



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