IRFS7730PBF备选型号: STH270N8F7-2
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013Discontinued1 (Unlimited)EAR991Single375W21 nsN-Channel2.6m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA13660pF @ 25V407nC @ 10V120ns75V±20V115 ns195A20V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-215 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant3-180A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII-活跃1 (Unlimited)EAR99-Single315W56 nsN-Channel2.1m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA13600pF @ 50V193nC @ 10V180ns-±20V42 ns180A20V4.8mm10.4mm15.8mm-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICON2超低电阻鸥翼STH270R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0021Ohm80V720A1160 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STH260N6F6-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK | 对比 |
![]() | STH270N8F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 | 对比 |
![]() | IRFS7530PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |





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