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IRFS7762PBF备选型号: IRFS7540TRLPBF
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK15 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g85A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006Discontinued1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single140W11 nsN-Channel6.7m Ω @ 51A, 10V3.7V @ 100μA4440pF @ 25V130nC @ 10V49ns75V±20V40 ns85A20V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------- MOSFET N CH 60V 110A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single160W12 nsN-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns60V±20V56 ns110A20V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICON2鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING3.7V60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB100N08S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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