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IRFSL4227PBF备选型号: IRFSL4321PBF
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON62A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26040Single增强型MOSFET330WDRAIN33 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V20ns±30V31 ns62A5V30V0.026Ohm200V260A140 mJ5 V9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC无符合RoHS标准------ MOSFET N-CH 150V 83A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON85A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030Single增强型MOSFET330WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 33A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 25V110nC @ 10V60ns±30V35 ns83A5V30V-150V---9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC-符合RoHS标准150V83A不合格75A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew | 对比 |
| IRFSL4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 | 对比 |
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 | 对比 |
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