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IRFSL4227PBF备选型号: IRFSL4620PBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON62A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26040Single增强型MOSFET330WDRAIN33 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V20ns±30V31 ns62A5V30V0.026Ohm200V260A140 mJ5 V9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC无符合RoHS标准------------ MOSFET N-CH 200V 24A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-24A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008-Obsolete1 (Unlimited)-----Single-144W-13.4 nsN-Channel-77.5mOhm @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns±20V14.8 ns24A5V20V-200V--5 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准TO-262通孔63.7MOhm175°C-55°C200V200V1.71nF77.5mOhm77.5 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew | 对比 |
| IRFSL4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 | 对比 |
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 | 对比 |
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