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IRFU3707ZPBF备选型号: STU65N3LLH5
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3IPAK (TO-251)56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C30V56ASingle50W8 nsN-Channel9.5mOhm @ 15A, 10V2.25V @ 25μA1150pF @ 15V14nC @ 4.5V11ns30V±20V3.3 ns56A4V20V30V1.15nF12.5mOhm9.5 mΩ4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------------
MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-65A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ V-Obsolete1 (Unlimited)-----50W-N-Channel7.3m Ω @ 32.5A, 10V3V @ 250μA1290pF @ 25V8nC @ 4.5V11.2ns-±22V6 ns65A--30V---------ROHS3 Compliant-SILICON3EAR99ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE未说明unknown未说明STU65N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0097Ohm260A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPS075N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V | 对比 |
| STU65N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V | 对比 |
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