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首页 全部分类 IRFU4510PBF vs IPS12CN10LGBKMA1

IRFU4510PBF备选型号: IPS12CN10LGBKMA1

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRFU4510PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 56A IPAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.9m Ω @ 38A, 10V
    4V @ 100μA
    3031pF @ 50V
    81nC @ 10V
    ±20V
    34 ns
    56A
    20V
    100V
    252A
    3 V
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPS12CN10LGBKMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    -
    SILICON
    69A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    260
    未说明
    -
    增强型MOSFET
    125W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    11.8m Ω @ 69A, 10V
    2.4V @ 83μA
    5600pF @ 50V
    58nC @ 10V
    ±20V
    -
    69A
    20V
    -
    276A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    e3
    yes
    哑光锡
    逻辑级兼容
    SINGLE
    unknown
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
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