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IRFU4510PBF备选型号: IRFU2307ZPBF
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- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
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- 供应商器件包装
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
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- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
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MOSFET N CH 100V 56A IPAK12 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2012活跃1 (Unlimited)3EAR99未说明未说明Single增强型MOSFET143WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING13.9m Ω @ 38A, 10V4V @ 100μA3031pF @ 50V81nC @ 10V±20V34 ns56A20V100V252A3 V6.22mm6.73mm2.39mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--------------- MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-42A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)------110W-16 nsN-Channel-16mOhm @ 32A, 10V4V @ 100μA2190pF @ 25V75nC @ 10V±20V29 ns53A20V75V-4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC符合RoHS标准-IPAK (TO-251)通孔175°C-55°C65ns75V31 ns4V75V2.19nF47 ns16mOhm16 mΩ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU2307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK | 对比 |
 | IPS12CN10LGBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube | 对比 |
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