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首页 全部分类 IRFZ44NPBF vs FDP13AN06A0

IRFZ44NPBF备选型号: FDP13AN06A0

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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFZ44NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    49A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    17.5MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    250
    49A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    1470pF @ 25V
    63nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    49A
    2.1V
    TO-220AB
    20V
    55V
    55V
    95 ns
    2.1 V
    8.77mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP13AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    10.9A Ta 62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    60V
    -
    62A
    -
    -
    Single
    -
    115W
    -
    9 ns
    N-Channel
    -
    13.5mOhm @ 62A, 10V
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    96ns
    ±20V
    26 ns
    62A
    4V
    -
    20V
    60V
    -
    -
    4 V
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    175°C
    -55°C
    60V
    1.35nF
    13.5mOhm
    13.5 mΩ
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