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首页 全部分类 IRFZ44NPBF vs IRFZ44ZPBF

IRFZ44NPBF备选型号: IRFZ44ZPBF

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFZ44NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    49A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    17.5MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    250
    49A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    1470pF @ 25V
    63nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    49A
    2.1V
    TO-220AB
    20V
    55V
    55V
    95 ns
    2.1 V
    8.77mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ44ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    51A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1999
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    13.9Ohm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    -
    51A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.9m Ω @ 31A, 10V
    4V @ 250μA
    1420pF @ 25V
    43nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    41 ns
    51A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    55V
    35 ns
    4 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    200A
    86 mJ
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