IRG4BC10SD-LPBF备选型号: HGT1S2N120CN

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 14A 38W TO262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    38W
    unknown
    14A
    Single
    38W
    Standard
    32ns
    1.8V
    14A
    28 ns
    1.8V @ 15V, 8A
    15nC
    18A
    76ns/815ns
    310μJ (on), 3.28mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    1.2kV
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.2kV
    104W
    -
    13A
    Single
    104W
    Standard
    -
    1.2kV
    13A
    -
    2.4V @ 15V, 2.6A
    30nC
    20A
    25ns/205ns
    96μJ (on), 355μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    1200V
    NPT
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