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IRG4BC30FD-SPBF备选型号: AUIRG4BC30S-S
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 触点镀层
- 最大下降时间 (tf)
IGBT 600V 31A 100W D2PAK13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON480V, 17A, 23 Ω, 15V1.8VTube-55°C~150°C TJ2010e3最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V100W鸥翼26031A30R-PSSO-G2Single100WCOLLECTORStandard电源控制27nsN-CHANNEL1.8V31A42 ns69 ns1.8V @ 15V, 17A620 ns51nC124A42ns/230ns630μJ (on), 1.39mJ (off)20V6V9.652mm10.668mm4.699mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅--- IGBT 600V 34A 100W D2PAK9 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON600V1.6VTube-55°C~150°C TJ2010e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99--100W鸥翼260-30R-PSSO-G2Single100WCOLLECTORStandard电源控制-N-CHANNEL1.6V34A-40 ns1.6V @ 15V, 18A1550 ns50nC68A22ns/540ns260μJ (on), 3.45mJ (off)20V6V9.65mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅Tin590ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
| AUIRG4BC30S-S | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 34A 100W D2PAK | 对比 |
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