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IRG4BC30FD-SPBF备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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IGBT 600V 31A 100W D2PAK13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON480V, 17A, 23 Ω, 15V1.8VTube-55°C~150°C TJ2010e3最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V100W鸥翼26031A30R-PSSO-G2Single100WCOLLECTORStandard电源控制27nsN-CHANNEL1.8V31A42 ns69 ns1.8V @ 15V, 17A620 ns51nC124A42ns/230ns630μJ (on), 1.39mJ (off)20V6V9.652mm10.668mm4.699mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅------
IGBT 600V 23A 100W D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-600V2.1VTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)---600V100W--12A--Single100W-Standard---600V23A42 ns-2.6V @ 15V, 12A-49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)-----符合RoHS标准--无铅D2PAK150°C-55°CSG*23N60100W600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
| AUIRG4BC30S-S | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 34A 100W D2PAK | 对比 |
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