IRG4PC50SDPBF备选型号: IRG4PC50F-EPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT 600V 70A 200W TO247AC52 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V1.36V-55°C~150°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200W25030R-PSFM-T3不合格Single200WCOLLECTORStandard33 nsN-CHANNEL1.36V70A50 nsTO-247AC62 ns1.36V @ 15V, 41A1700 ns180nC140A33ns/650ns720μJ (on), 8.27mJ (off)符合RoHS标准无铅----------
- IGBT 600V 70A 200W TO247AD11 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V1.45V-55°C~150°C TJTube2008-Obsolete1 (Unlimited)3-200W----Single200WCOLLECTORStandard31 nsN-CHANNEL1.6V70A-TO-247AD52 ns1.6V @ 15V, 39A620 ns190nC280A31ns/240ns370μJ (on), 2.1mJ (off)符合RoHS标准-3EAR99电源控制20V6V190ns20.701mm15.875mm5.3086mm无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW40NC60KD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
![]() | IRG4PC50FD-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG4PC50F-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AD | 对比 |





哦! 它是空的。