Infineon Technologies IRG4PC50SDPBF

工厂交货时间

52 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.36V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 41A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

980 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

33 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.36V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

50 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

62 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.36V @ 15V, 41A

关断时间-标准值（toff)

1700 ns

闸门收费

180nC

集极脉冲电流（Icm）

140A

Td（开/关）@25°C

33ns/650ns

开关能量

720μJ (on), 8.27mJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅