IRG4PC50WPBF备选型号: STGW20V60F
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- IGBT类型
- IGBT 600V 55A 200W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013gSILICON600V2.3V-55°C~150°C TJBulk2000最后一次购买1 (Unlimited)3通孔EAR99低导通损耗600V200WSINGLE55ADual200WCOLLECTORStandard46 ns电源控制33nsN-CHANNEL2.3V55ATO-247AC74 ns2.3V @ 15V, 27A272 ns180nC220A46ns/120ns80μJ (on), 320μJ (off)20V6V86ns20.2946mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop20 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON600V2.3V-55°C~175°C TJTube-活跃1 (Unlimited)3-EAR99--167W--Single167W-Standard-电源控制-N-CHANNEL600V40A-49 ns2.2V @ 15V, 20A173 ns116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)---20.15mm15.75mm5.15mm-无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)e3Matte Tin (Sn)STGW203沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 55A 200W TO247AC | 对比 |
![]() | IRG4PC50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 55A 200W TO247AC | 对比 |
![]() | STGW20V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | 对比 |




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