IRG4PH50SPBF备选型号: IRG4PH50UPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013gSILICON1.2kV1.75V-55°C~150°C TJBulk2004最后一次购买1 (Unlimited)3通孔EAR991.2kV200W57ASingle200WCOLLECTORStandard32 ns电源控制29nsN-CHANNEL1.2kV57A57ATO-247AC30V1200V3.6nF62 ns1.7V @ 15V, 33A150°C57A2170 ns167nC114A32ns/845ns1.8mJ (on), 19.6mJ (off)24.99mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- IGBT 1200V 45A 200W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV3.7V-55°C~150°C TJTube2000最后一次购买1 (Unlimited)3通孔EAR991.2kV200W45ASingle200WCOLLECTORStandard35 ns电源控制15nsN-CHANNEL3.7V45A-TO-247AC-1200V-49 ns3.7V @ 15V, 24A--600 ns160nC180A35ns/200ns530μJ (on), 1.41mJ (off)20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅低导通损耗20V6V500ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC | 对比 |
![]() | IXA33IF1200HB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 45A 200W TO247AC | 对比 |




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