Infineon Technologies IRG4PH50SPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.75V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 33A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

845 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

200W

额定电流

57A

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

32 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

29ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

57A

连续放电电流(ID)

57A

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

30V

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

3.6nF

接通时间

62 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 33A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

57A

关断时间-标准值（toff)

2170 ns

闸门收费

167nC

集极脉冲电流（Icm）

114A

Td（开/关）@25°C

32ns/845ns

开关能量

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

高度

24.99mm

长度

15.875mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅