IRG8P15N120KDPBF备选型号: FGH15T120SMD-F155
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- 底架
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- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 元素配置
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 无铅代码
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- IGBT类型
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC通孔通孔TO-247-331.2kV1.7V-40°C~150°C TJTube2014Obsolete1 (Unlimited)EAR99125WunknownSingleStandard2V15A60 ns1200V2V @ 15V, 10A98nC15ns/170ns600μJ (on), 600μJ (off)20.7mm15.87mm5.31mm符合RoHS标准无铅-----------
- IGBT 1200V 30A 333W TO247-3通孔通孔TO-247-331.2kV1.9V-55°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)-333W-SingleStandard1.2kV30A72ns1200V2.4V @ 15V, 15A128nC32ns/490ns1.15mJ (on), 460μJ (off)---ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks6.39gyes333WN-CHANNEL沟渠现场停车60A25V7.5V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 160W TO247AC | 对比 |
![]() | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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