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首页 全部分类 IRGB4610DPBF vs HGTP3N60A4

IRGB4610DPBF备选型号: HGTP3N60A4

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRGB4610DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 16A 77W TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.299997g
    600V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    77W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    77W
    N-CHANNEL
    2V
    16A
    74 ns
    2V @ 15V, 6A
    13nC
    18A
    27ns/75ns
    56μJ (on), 122μJ (off)
    20V
    6.5V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP3N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 17A 70W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    600V
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    70W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    600V
    17A
    -
    2.7V @ 15V, 3A
    21nC
    40A
    6ns/73ns
    37μJ (on), 25μJ (off)
    20V
    7V
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    17A
    70W
    COLLECTOR
    电源控制
    11ns
    TO-220AB
    17.5 ns
    180 ns
    100ns
    无
    无铅
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