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IRGS4715DPBF备选型号: IRGS10B60KDPBF
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- 包装/外壳
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 650V D2-PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3400V, 8A, 50 Ω, 15V1.7V2014Tube-40°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99100W未说明未说明SingleStandard100W2V21A86 ns2V @ 15V, 8A30nC24A30ns/100ns200μJ (on), 90μJ (off)9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC符合RoHS标准----------------------- IGBT 600V 22A 156W D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3600V1.8V2012Tube-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99156W26030SingleStandard-2.2V22A90 ns2.2V @ 15V, 10A38nC44A30ns/230ns140μJ (on), 250μJ (off)9.652mm10.668mm4.699mm-符合RoHS标准13 WeeksSILICONe32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V鸥翼22AIRGS10B60KDPBFR-PSSO-G2156WCOLLECTORMOTOR CONTROL20nsN-CHANNEL50 ns276 nsNPT20V5.5V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4064DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 101W D2PAK | 对比 |
| IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | 对比 |
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
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