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IRGS4715DPBF备选型号: IRGS4064DPBF
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 极性/通道类型
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 650V D2-PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3400V, 8A, 50 Ω, 15V1.7V2014Tube-40°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99100W未说明未说明SingleStandard100W2V21A86 ns2V @ 15V, 8A30nC24A30ns/100ns200μJ (on), 90μJ (off)9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC符合RoHS标准---------- IGBT 600V 20A 101W D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3600V1.6V2012Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99101W--SingleStandard101W1.91V20A62 ns1.91V @ 15V, 10A32nC40A27ns/79ns29μJ (on), 200μJ (off)9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC符合RoHS标准20 Weeks260.39037mgN-CHANNELTrench20V6.5V29ns无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4064DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 101W D2PAK | 对比 |
| IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | 对比 |
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
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