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首页 全部分类 IRGS4715DPBF vs STGB10M65DF2

IRGS4715DPBF备选型号: STGB10M65DF2

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  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
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  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 基本部件号
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IRGS4715DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 650V D2-PAK
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    400V, 8A, 50 Ω, 15V
    1.7V
    2014
    Tube
    -40°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    100W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    100W
    2V
    21A
    86 ns
    2V @ 15V, 8A
    30nC
    24A
    30ns/100ns
    200μJ (on), 90μJ (off)
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGB10M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    650V
    1.55V
    -
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    115W
    2V
    20A
    96 ns
    2V @ 15V, 10A
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    STGB10
    650V
    沟渠现场停车
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