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IRL3302SPBF备选型号: FDB6021P
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- 包装/外壳
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK39A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C20V39ASingle57WN-Channel20mOhm @ 23A, 7V700mV @ 250μA1300pF @ 15V31nC @ 4.5V110ns20V±10V89 ns39A10V20V1.3nF23mOhm20 mΩ700 mV无SVHC符合RoHS标准无铅
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB28A Ta-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-65°C-20V-28ASingle37WP-Channel30mOhm @ 14A, 4.5V1.5V @ 250μA1890pF @ 10V28nC @ 4.5V10ns20V±8V50 ns-28A8V-20V1.89nF30mOhm30 mΩ--符合RoHS标准无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB6021P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | 对比 |
| IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
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