IRL3302SPBF备选型号: IRL3715SPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    39A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    20V
    39A
    Single
    57W
    N-Channel
    20mOhm @ 23A, 7V
    700mV @ 250μA
    1300pF @ 15V
    31nC @ 4.5V
    110ns
    20V
    ±10V
    89 ns
    39A
    10V
    20V
    1.3nF
    23mOhm
    20 mΩ
    700 mV
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    20V
    54A
    -
    71W
    N-Channel
    14mOhm @ 26A, 10V
    3V @ 250μA
    1060pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    73ns
    20V
    ±20V
    -
    54A
    20V
    20V
    1.06nF
    20mOhm
    14 mΩ
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    3V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDB6021P FDB6021P ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB 对比
IRL3715SPBF IRL3715SPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK 对比