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IRL3714PBF备选型号: IRF3711PBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL3714PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20MOhm
    175°C
    -55°C
    20V
    36A
    Single
    43W
    8.7 ns
    N-Channel
    20mOhm @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    670pF @ 10V
    9.7nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    ±20V
    4.5 ns
    36A
    3V
    20V
    20V
    670pF
    28mOhm
    20 mΩ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3711PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    110A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6MOhm
    -
    -
    20V
    110A
    Single
    120W
    12 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2980pF @ 10V
    44nC @ 4.5V
    220ns
    -
    ±20V
    12 ns
    110A
    3V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    440A
    20V
    460 mJ
    3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无
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