Infineon Technologies IRL3715ZPBF
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IRL3715ZPBF
1211-IRL3715ZPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
--最小包装量--
IRL3715ZPBF详情
Infineon Technologies IRL3715ZPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
45W Tc
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
11MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
50A
功率耗散
45W
接通延迟时间
7.1 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
上升时间
44ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.6 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
输入电容
870pF
恢复时间
14 ns
漏源电阻
15.5mOhm
最大rds
11 mΩ
高度
8.77mm
长度
10.54mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3715ZPBF拓展信息
Infineon Technologies
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